法国 上法兰西理工大学(Université Polytechnique des Hauts de France) Huy Dinh Khac,Christophe Lethien等,在Nature Materials上发文,利用溅射沉积方法,报道制备了厚的氮化钌赝电容薄膜的重大进展。
这些薄膜的传输速率超过0.8fcm–2 (~500 F cm–3),时间常数低于6s。通过利用原始的电化学氧化工艺,体积电容增加了一倍 (1,200 F cm–3),而不会牺牲循环稳定性。这使得工作电压窗口可扩展至0.85V(相对于Hg/HgO),从而提升至3.2fcm–2 (3,200 F cm–3)。
动态原位X射线吸收光谱和透射电子显微镜分析表明,电化学氧化过程的新见解。电荷存储机制,主要是利用了高电导率以及羽毛状核的立方氮化钌和Ru相的形态,从而形成高电导率与高容量的结合。因此,还开发了将容量与时间常数相关联的分析,以作为识别在高充电/放电速率下保持高容量材料的工具。
Nanofeather ruthenium nitride electrodes for electrochemical capacitors.
图1: 用于微型超级电容micro-supercapacitors,MSC,纳米羽毛状氮化钌RuN电极的设计和沉积示意图。
图2: 薄膜的结构和化学分析。
图3: 厚膜的结构和电化学分析。
图4: 氮化钌RuN电极上的电化学氧化electrochemical oxidation process,EOP。
Dinh Khac, H., Whang, G., Iadecola, A. et al. Nanofeather ruthenium nitride electrodes for electrochemical capacitors. Nat. Mater. (2024).
https://doi.org/10.1038/s41563-024-01816-0
https://www.nature.com/articles/s41563-024-01816-0
评论
加载更多