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为什么离子注入需要一定的入射角度?
张明
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2024-04-07
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芯片
为什么离子注入需要一定的入射角度?
问:在进行离子注入工艺时,杂质入射方向需要倾斜一个角度,一般偏离晶面法线7度到10度之间,那么这样设定是为什么?
倾斜注入主要是解决横向效应与沟道效应。
直接垂直注入会产生什么问题?
垂直注入会造成横向效应。
离子注入的横向效应是指离子在注入过程中除了在垂直方向上的渗透(纵向扩散)外,还会在水平方向(横向)上发生扩散的现象。
这种横向扩散是由于注入的离子在晶体中与晶体原子相互碰撞造成的,导致部分注入的离子偏离了原本直线的轨迹。横向效应
会影响有效沟道长度。
沿晶向注入会产生什么问题?
沿晶向注入会造成沟道效应(
Channeling effect)
。
离子束准确的沿着晶格方向注入,几乎不会与原子核发生碰撞,因此可以注入十分深的深度。但是这种深度是不可控的,因此没有实际的应用意义。
为什么离子注入角度不可过大?
离子注入角度过大,会导致大面积的阴影区,这些阴影区被光刻胶阻挡,无法被注入。
内容来源:
Tom聊芯片智造
责任编辑:
展源
审 核:
何发
除磷的所有方法、常见问题,都在这篇文章里了!
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