【最新科研】氮化铝镓半导体

张明 2024-10-16

具有足够功率的氮化铝镓深紫外ultraviolet (UVC) 微发光二极管micro-light-emitting diodes (micro-LEDs) 开发，一直是主要挑战之一，这尤其限制了这些器件的各种应用。

今日，香港科技大学Feng Feng等，南方科技大学刘召军Zhaojun Liu等，在Nature Photonics上发文，已经开发了先进的制造工艺，以演示高效270nm深紫外UVC微发光二极管LED，以及具有高分辨率的大尺寸深紫外UVC微发光二极管LED显示器，以用于无掩模光刻。

光学和电学表征了尺寸从3µm到100μm的深紫外UVC微发光二极管LED，以评估这些新兴器件。3μm器件实现了5.7%峰值外量子效率和396Wcm–2最大亮度。每英寸2,540个像素的并联深紫外UVC微发光二极管LED阵列，具有背面反射层，表现出了发射均匀性和准直性。分辨率为320×140的深紫外UVC 微发光二极管Micro-LED显示器专为无掩模光刻应用而设计，利用定制的集成电路驱动器，实现了最佳性能。

深紫外UVC微发光二极管LED和深紫外UVC微型显示器，提供了足够的剂量，以在数秒内完全曝光光致抗蚀剂膜，这是由于增强的电流扩展均匀性、提升的热分散和优异的光提取效率。这项工作会开辟一条无掩模光刻的道路，并产生半导体行业的革命性发展。

High-power AlGaN deep-ultraviolet micro-light-emitting diode displays for maskless photolithography.

高功率AlGaN深紫外微发光二极管显示器，以用于无掩模光刻

图1: 制造深紫外ultraviolet，UVC微发光二极管light-emitting diode，LED。

图2: 独立深紫外UVC微发光二极管LED表征。

图3:并联深紫外UVC微发光二极管LED阵列。

图4: 深紫外UVC微发光二极管LED显示器及其在图案转移上的应用。

文献链接

Feng, F., Liu, Y., Zhang, K. et al. High-power AlGaN deep-ultraviolet micro-light-emitting diode displays for maskless photolithography. Nat. Photon. (2024).

https://doi.org/10.1038/s41566-024-01551-7

https://www.nature.com/articles/s41566-024-01551-7

本文译自Nature。

内容来源：今日新材料

责任编辑：展源

审　　核：何发

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